Описание

Процесс формирования углублений с применением матрицы многолучевого лазера обеспечивает удаление верхних слоев различных материалов. Многолучевая матрица позволяет формировать канавки с профилем U-образной формы и качеством, соответствующим отраслевым стандартам (малое количество заусенцев, отсутствие сколов, гладкий профиль канавки). Уникальная концепция установки гарантирует высокую точность и воспроизводимость процесса. Совместно с уникальным и запатентованным контролем линии пропила «на лету» пользователь имеет возможность непрерывного контроля всего процесса:

Ключевые особенности:

• Большое разнообразие ширины канавок. Диапазон от 10 мкм до 100 мкм или более благодаря широкому выбору конфигураций многолучевой матрицы.
• Чрезвычайно высокая воспроизводимость, точность позиционирования и пропила (<± 1 мкм).
• Высокая производительность (как правило, на 50% выше, чем у аналогичных установок других производителей) благодаря концепции системы, ориентированной на лазерную обработку материала:
  • сверхнизкое время индексирования;
  • проверка линии скрайбирования «на лету»;
  • две кассетные станции;
  • сдвоенные станции нанесения покрытия и очистки.

Основные ключевые моменты:

• Уникальная многолучевая технология.
• Активное управление фокусом для компенсации колебаний толщины пластины.
• Система перемещения в плоскости и активные крепления для компенсации вибрации обеспечивают чрезвычайно высокую скорость и точность.
• Дистанционное управление и диагностика для оперативной поддержки процесса и более быстрого сервисного обслуживания.
• 2 отдельные кассетные станции для исключения времени простоя машины.
• Встроенные станции нанесения покрытия/очистки для повышения производительности и гибкости скрайбирования;
• Автоматическая настройка разделения луча для использования при решении различных задач;
• Станция предварительного выравнивания и обработки контура для достижения максимальной производительности;
• Обработка пластин с кристаллами интегральных схем различных типов и сломанных пластин для повышения выхода годных кристаллов на полупроводниковой пластине;
• Проверка линии скрайбирования «на лету» без снижения производительности;
• Совместимость с Secs Gem;
• Интуитивно понятный графический интерфейс пользователя.

Области применения

• Скрайбирование материала с низкой диэлектрической проницаемостью (Low-K);
• Логические интегральные схемы;
• Драйверы ЖК-дисплеев;
• Микропроцессоры;
• Память.

Размеры

• Ширина х Глубина х Высота: 1500 x 2000 x 2200 мм